CY7C1061GN30-10BVXI   CY7C1061GN30-10BVXI   CY7C1061GN30-10BVXI
型号：CY7C1061GN30-10BVXI
描述

IC SRAM 16M PARALLEL 54TSOP

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级 （MSL） 3（168 小时）

详细描述 SRAM-异步-存储器-IC-16Mb-（1M-x-16）-并联-pval-800-pval-2192-54-TSOP-II

存储器类型 易失

存储器格式 SRAM

技术 SRAM - 异步

存储容量 16Mb （1M x 16）

写周期时间 - 字，页 10ns

访问时间 10ns

存储器接口 并联

电压 - 电源 2.2V ~ 3.6V

工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）

供应商器件封装 54-TSOP II

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